Ⅰ 24個200萬攝像頭，用一個24口交換機，是用百兆的還是用千兆的怎麼計算
必須用千兆上傳的,否則帶寬不夠。
Ⅱ ZM306十二路晶體管載波機是哪個廠家生產的
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可100GHz以上。
指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。
廣義上，只要是使用微細加工手段製造出來的半導體片子，都可以叫做晶元，裡面並不一定有電路。比如半導體光源晶元；比如機械晶元，如MEMS陀螺儀；或者生物晶元如DNA晶元。在通訊與信息技術中，當把范圍局限到硅集成電路時，晶元和集成電路的交集就是在「硅晶片上的電路」上。晶元組，則是一系列相互關聯的晶元組合，它們相互依賴，組合在一起能發揮更大的作用，比如計算機裡面的處理器和南北橋晶元組，手機裡面的射頻、基帶和電源管理晶元組。
以下這篇文章和你一起學習，《晶元裡面的幾千萬的晶體管是怎麼裝進去的？》，來自網摘。
要想造個晶元, 首先, 你得畫出來一個長這樣的玩意兒給Foundry (外包的晶圓製造公司)
(此處擔心有版權問題… 畢竟我也是拿別人錢幹活的苦逼phd… 就不放全電路圖了… 大家看看就好， 望理解！）
再放大...
我們終於看到一個門電路啦! 這是一個NAND Gate(與非門), 大概是這樣:
A, B 是輸入, Y是輸出.
其中藍色的是金屬1層, 綠色是金屬2層, 紫色是金屬3層, 粉色是金屬4層...
那晶體管(更正, 題主的"晶體管" 自199X年以後已經主要是 MOSFET, 即場效應管了 ) 呢?
仔細看圖, 看到裡面那些白色的點嗎? 那是襯底, 還有一些綠色的邊框? 那些是Active Layer (也即摻雜層.)
然後Foundry是怎麼做的呢? 大體上分為以下幾步:
首先搞到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)
圖片按照生產步驟排列. 但是步驟總結單獨寫出.
1、濕洗(用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質)
2、光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓. )
3、 離子注入(在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管.)
4.1、干蝕刻 (之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的,而是為了離子注入而蝕刻的. 現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻).
4.2、濕蝕刻(進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫濕蝕刻).--- 以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來啦~ 但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反復復的做, 以達到要求. ---
5、等離子沖洗(用較弱的等離子束轟擊整個晶元)
6、熱處理, 其中又分為:
6.1、快速熱退火 (就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化)
6.2、退火
6.3、熱氧化 (製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) )
7、化學氣相淀積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質
8、物理氣相淀積 (PVD),類似, 而且可以給敏感部件加coating
9、分子束外延 (MBE) 如果需要長單晶的話就需要這個..
10、電鍍處理
11、化學/機械 表面處理然後晶元就差不多了, 接下來還要:
12、晶圓測試
13、晶圓打磨就可以出廠封裝了.我們來一步步看:
就可以出廠封裝了.我們來一步步看:
1、上面是氧化層, 下面是襯底(硅) -- 濕洗
2、一般來說, 先對整個襯底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物質(最外層少一個電子), 作為襯底 -- 離子注入
3、先加入Photo-resist, 保護住不想被蝕刻的地方 -- 光刻
4、上掩膜! (就是那個標注Cr的地方. 中間空的表示沒有遮蓋, 黑的表示遮住了.) -- 光刻
5、紫外線照上去... 下面被照得那一塊就被反應了 -- 光刻
6、撤去掩膜. -- 光刻
7、把暴露出來的氧化層洗掉, 露出硅層(就可以注入離子了) -- 光刻8、把保護層撤去. 這樣就得到了一個准備注入的矽片. 這一步會反復在矽片上進行(幾十次甚至上百次). -- 光刻
9、然後光刻完畢後, 往裡面狠狠地插入一塊少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物質就做成了一個N-well (N-井) -- 離子注入10、用干蝕刻把需要P-well的地方也蝕刻出來. 也可以再次使用光刻刻出來. -- 干蝕刻
11、上圖將P-型半導體上部再次氧化出一層薄薄的二氧化硅. -- 熱處理
12、用分子束外延處理長出的一層多晶硅， 該層可導電 -- 分子束外延
13、進一步的蝕刻, 做出精細的結構. (在退火以及部分CVD) -- 重復3-8光刻 + 濕蝕刻13 進一步的蝕刻, 做出精細的結構. (在退火以及部分CVD) -- 重復3-8光刻 + 濕蝕刻
14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物質, 此時注意MOSFET已經基本成型. -- 離子注入
15、用氣相積淀 形成的氮化物層 -- 化學氣相積淀
16、將氮化物蝕刻出溝道 -- 光刻 + 濕蝕刻
17、物理氣相積淀長出 金屬層 -- 物理氣相積淀
18、將多餘金屬層蝕刻. 光刻 + 濕蝕刻重復 17-18 長出每個金屬層哦對了... 最開始那個晶元, 大小大約是1.5mm x 0.8mm
啊~~ 找到一本關於光刻的書, 更新一下, 之前的回答有謬誤..
書名: << IC Fabrication Technology >> By BOSE
細說一下光刻. 題主問了: 小於頭發絲直徑的操作會很困難, 所以光刻(比如說100nm)是怎麼做的呢?
比如說我們要做一個100nm的門電路(90nm technology), 那麼實際上是這樣的:
這層掩膜是第一層, 大概是10倍左右的Die Size有兩種方法製作: Emulsion Mask 和 Metal MaskEmulsion Mask:
這貨解析度可以達到 2000line / mm (其實挺差勁的... 所以sub-micron ,也即um級別以下的 VLSI不用... )這貨解析度可以達到 2000line / mm (其實挺差勁的... 所以sub-micron ,也即um級別以下的 VLSI不用... )製作方法: 首先: 需要在Rubylith (不會翻譯...) 上面刻出一個比想要的掩膜大個20倍的形狀 (大概是真正製作尺寸的200倍), 這個形狀就可以用激光什麼的刻出來, 只需要微米級別的刻度.
然後:
給!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 給!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 如果要拍的"照片"太大, 也有分區域照的方法. Metal Mask:
製作過程: 1、先做一個Emulsion Mask, 然後用Emulsion Mask以及我之前提到的17-18步做Metal Mask! 瞬間有種Recursion的感覺有木有!!!
2、Electron beam:
大概長這樣
製作的時候移動的是底下那層. 電子束不移動.
就像列印機一樣把底下打一遍.
好處是精度特別高, 目前大多數高精度的(<100nm技術)都用這個掩膜. 壞處是太慢...
做好掩膜後:
Feature Size = k*lamda / NA
k一般是0.4, 跟製作過程有關; lamda是所用光的波長; NA是從晶元看上去, 放大鏡的倍率.
以目前的技術水平, 這個公式已經變了, 因為隨著Feature Size減小, 透鏡的厚度也是一個問題了
Feature Size = k * lamda / NA^2
恩.. 所以其實掩膜可以做的比晶元大一些. 至於具體製作方法, 一般是用高精度計算機探針 + 激光直接刻板. Photomask(掩膜) 的材料選擇一般也比硅晶片更加靈活, 可以採用很容易被激光汽化的材料進行製作.
這個光刻的方法絕壁是個黑科技一般的點! 直接把Lamda縮小了一個量級, With no extra cost! 你們說吼不吼啊!
Food for Thought: Wikipedia上面關於掩膜的版面給出了這樣一幅圖, 假設用這樣的掩膜最後做出來會是什麼形狀呢?
於是還沒有人理Food for thought...
附圖的步驟在每幅圖的下面標注, 一共18步.
最終成型大概長這樣:
其中, 步驟1-15 屬於 前端處理 (FEOL), 也即如何做出場效應管
步驟16-18 (加上許許多多的重復) 屬於後端處理 (BEOL) , 後端處理主要是用來布線. 最開始那個大晶元裡面能看到的基本都是布線! 一般一個高度集中的晶元上幾乎看不見底層的矽片, 都會被布線遮擋住.
SOI (Silicon-on-Insulator) 技術:
傳統CMOS技術的缺陷在於: 襯底的厚度會影響片上的寄生電容, 間接導致晶元的性能下降. SOI技術主要是將 源極/漏極 和 矽片襯底分開, 以達到(部分)消除寄生電容的目的.
傳統:
SOI:
製作方法主要有以下幾種(主要在於製作硅-二氧化硅-硅的結構, 之後的步驟跟傳統工藝基本一致.)1. 高溫氧化退火:
在硅表面離子注入一層氧離子層
等氧離子滲入硅層, 形成富氧層
高溫退火
成型.
或者是2. Wafer Bonding(用兩塊! )不是要做夾心餅干一樣的結構嗎? 爺不差錢! 來兩塊!
來兩塊!對硅2進行表面氧化對硅2進行氫離子注入對硅2進行氫離子注入翻面將氫離子層處理成氣泡層將氫離子層處理成氣泡層切割掉多餘部分切割掉多餘部分成型! + 再利用光刻離子注入離子注入
微觀圖長這樣:
再次光刻+蝕刻
撤去保護, 中間那個就是Fin撤去保護, 中間那個就是Fin門部位的多晶硅/高K介質生長門部位的多晶硅/高K介質生長門部位的氧化層生長門部位的氧化層生長長成這樣源極 漏極製作(光刻+ 離子注入)初層金屬/多晶硅貼片蝕刻+成型物理氣相積淀長出表面金屬層(因為是三維結構, 所有連線要在上部連出)機械打磨(對! 不打磨會導致金屬層厚度不一致)
Ⅲ 帶寬是什麼還有交換機和路由器是同一個事物嗎
一、帶寬的兩種概念
如果從電子電路角度出發，帶寬（Bandwidth）本意指的是電子電路中存在一個固有通頻帶，這個概念或許比較抽象，我們有必要作進一步解釋。大家都知道，各類復雜的電子電路無一例外都存在電感、電容或相當功能的儲能元件，即使沒有採用現成的電感線圈或電容，導線自身就是一個電感，而導線與導線之間、導線與地之間便可以組成電容——這就是通常所說的雜散電容或分布電容；不管是哪種類型的電容、電感，都會對信號起著阻滯作用從而消耗信號能量，嚴重的話會影響信號品質。這種效應與交流電信號的頻率成正比關系，當頻率高到一定程度、令信號難以保持穩定時，整個電子電路自然就無法正常工作。為此，電子學上就提出了「帶寬」的概念，它指的是電路可以保持穩定工作的頻率范圍。而屬於該體系的有顯示器帶寬、通訊/網路中的帶寬等等。
而第二種帶寬的概念大家也許會更熟悉，它所指的其實是數據傳輸率，譬如內存帶寬、匯流排帶寬、網路帶寬等等，都是以「位元組/秒」為單位。我們不清楚從什麼時候起這些數據傳輸率的概念被稱為「帶寬」，但因業界與公眾都接受了這種說法，代表數據傳輸率的帶寬概念非常流行，盡管它與電子電路中「帶寬」的本意相差很遠。
對於電子電路中的帶寬，決定因素在於電路設計。它主要是由高頻放大部分元件的特性決定，而高頻電路的設計是比較困難的部分，成本也比普通電路要高很多。這部分內容涉及到電路設計的知識，對此我們就不做深入的分析。而對於匯流排、內存中的帶寬，決定其數值的主要因素在於工作頻率和位寬，在這兩個領域，帶寬等於工作頻率與位寬的乘積，因此帶寬和工作頻率、位寬兩個指標成正比。不過工作頻率或位寬並不能無限制提高，它們受到很多因素的制約，我們會在接下來的匯流排、內存部分對其作專門論述。
二、 匯流排中的帶寬
在計算機系統中，匯流排的作用就好比是人體中的神經系統，它承擔的是所有數據傳輸的職責，而各個子系統間都必須籍由匯流排才能通訊，例如，CPU和北橋間有前端匯流排、北橋與顯卡間為AGP匯流排、晶元組間有南北橋匯流排，各類擴展設備通過PCI、PCI-X匯流排與系統連接；主機與外部設備的連接也是通過匯流排進行，如目前流行的USB 2.0、IEEE1394匯流排等等，一句話，在一部計算機系統內，所有數據交換的需求都必須通過匯流排來實現！
按照工作模式不同，匯流排可分為兩種類型，一種是並行匯流排，它在同一時刻可以傳輸多位數據，好比是一條允許多輛車並排開的寬敞道路，而且它還有雙向單向之分；另一種為串列匯流排，它在同一時刻只能傳輸一個數據，好比只容許一輛車行走的狹窄道路，數據必須一個接一個傳輸、看起來彷彿一個長長的數據串，故稱為「串列」。
並行匯流排和串列匯流排的描述參數存在一定差別。對並行匯流排來說，描述的性能參數有以下三個：匯流排寬度、時鍾頻率、數據傳輸頻率。其中，匯流排寬度就是該匯流排可同時傳輸數據的位數，好比是車道容許並排行走的車輛的數量；例如，16位匯流排在同一時刻傳輸的數據為16位，也就是2個位元組；而32位匯流排可同時傳輸4個位元組
交換機和路由器的區別：
一、前言
計算機網路往往由許多種不同類型的網路互連連接而成。如果幾個計算機網路只是在物理上連接在一起，它們之間並不能進行通信，那麼這種「互連」並沒有什麼實際意義。因此通常在談到「互連」時，就已經暗示這些相互連接的計算機是可以進行通信的，也就是說，從功能上和邏輯上看，這些計算機網路已經組成了一個大型的計算機網路，或稱為互聯網路，也可簡稱為互聯網、互連網。
將網路互相連接起來要使用一些中間設備（或中間系統），ISO的術語稱之為中繼（relay）系統。根據中繼系統所在的層次，可以有以下五種中繼系統：
1.物理層（即常說的第一層、層L1）中繼系統，即轉發器（repeater）。
2.數據鏈路層（即第二層，層L2），即網橋或橋接器（bridge）。
3.網路層（第三層，層L3）中繼系統，即路由器（router）。
4.網橋和路由器的混合物橋路器（brouter）兼有網橋和路由器的功能。
5.在網路層以上的中繼系統，即網關（gateway）.
當中繼系統是轉發器時，一般不稱之為網路互聯，因為這僅僅是把一個網路擴大了，而這仍然是一個網路。高層網關由於比較復雜，目前使用得較少。因此一般討論網路互連時都是指用交換機和路由器進行互聯的網路。本文主要闡述交換機和路由器及其區別。
二、交換機和路由器
「交換」是今天網路里出現頻率最高的一個詞，從橋接到路由到ATM直至電話系統，無論何種場合都可將其套用，搞不清到底什麼才是真正的交換。其實交換一詞最早出現於電話系統，特指實現兩個不同電話機之間話音信號的交換，完成該工作的設備就是電話交換機。所以從本意上來講，交換只是一種技術概念，即完成信號由設備入口到出口的轉發。因此，只要是和符合該定義的所有設備都可被稱為交換設備。由此可見，「交換」是一個涵義廣泛的詞語，當它被用來描述數據網路第二層的設備時，實際指的是一個橋接設備；而當它被用來描述數據網路第三層的設備時，又指的是一個路由設備。
我們經常說到的乙太網交換機實際是一個基於網橋技術的多埠第二層網路設備，它為數據幀從一個埠到另一個任意埠的轉發提供了低時延、低開銷的通路。
由此可見，交換機內部核心處應該有一個交換矩陣，為任意兩埠間的通信提供通路，或是一個快速交換匯流排，以使由任意埠接收的數據幀從其他埠送出。在實際設備中，交換矩陣的功能往往由專門的晶元（ASIC）完成。另外，乙太網交換機在設計思想上有一個重要的假設，即交換核心的速度非常之快，以致通常的大流量數據不會使其產生擁塞，換句話說，交換的能力相對於所傳信息量而無窮大（與此相反，ATM交換機在設計上的思路是，認為交換的能力相對所傳信息量而言有限）。
雖然乙太網第二層交換機是基於多埠網橋發展而來，但畢竟交換有其更豐富的特性，使之不但是獲得更多帶寬的最好途徑，而且還使網路更易管理。
而路由器是OSI協議模型的網路層中的分組交換設備（或網路層中繼設備），路由器的基本功能是把數據（IP報文）傳送到正確的網路，包括：
1.IP數據報的轉發，包括數據報的尋徑和傳送；
2.子網隔離，抑制廣播風暴；
3.維護路由表，並與其他路由器交換路由信息，這是IP報文轉發的基礎。
4.IP數據報的差錯處理及簡單的擁塞控制；
5.實現對IP數據報的過濾和記帳。
對於不同地規模的網路，路由器的作用的側重點有所不同。
在主幹網上，路由器的主要作用是路由選擇。主幹網上的路由器，必須知道到達所有下層網路的路徑。這需要維護龐大的路由表，並對連接狀態的變化作出盡可能迅速的反應。路由器的故障將會導致嚴重的信息傳輸問題。
在地區網中，路由器的主要作用是網路連接和路由選擇，即連接下層各個基層網路單位－－園區網，同時負責下層網路之間的數據轉發。 在園區網內部，路由器的主要作用是分隔子網。早期的互連網基層單位是區域網（LAN），其中所有主機處於同一邏輯網路中。隨著網路規模的不斷擴大，區域網演變成以高速主幹和路由器連接的多個子網所組成的園區網。在其中，處個子網在邏輯上獨立，而路由器就是唯一能夠分隔它們的設備，它負責子網間的報文轉發和廣播隔離，在邊界上的路由器則負責與上層網路的連接。
三、第二層交換機和路由器的區別
傳統交換機從網橋發展而來，屬於OSI第二層即數據鏈路層設備。它根據MAC地址定址，通過站表選擇路由，站表的建立和維護由交換機自動進行。路由器屬於OSI第三層即網路層設備，它根據IP地址進行定址，通過路由表路由協議產生。交換機最大的好處是快速，由於交換機只須識別幀中MAC地址，直接根據MAC地址產生選擇轉發埠演算法簡單，便於ASIC實現，因此轉發速度極高。但交換機的工作機制也帶來一些問題。
1.迴路：根據交換機地址學習和站表建立演算法，交換機之間不允許存在迴路。一旦存在迴路，必須啟動生成樹演算法，阻塞掉產生迴路的埠。而路由器的路由協議沒有這個問題，路由器之間可以有多條通路來平衡負載，提高可靠性。
2.負載集中：交換機之間只能有一條通路，使得信息集中在一條通信鏈路上，不能進行動態分配，以平衡負載。而路由器的路由協議演算法可以避免這一點，OSPF路由協議演算法不但能產生多條路由，而且能為不同的網路應用選擇各自不同的最佳路由。
3.廣播控制：交換機只能縮小沖突域，而不能縮小廣播域。整個交換式網路就是一個大的廣播域，廣播報文散到整個交換式網路。而路由器可以隔離廣播域，廣播報文不能通過路由器繼續進行廣播。
4.子網劃分：交換機只能識別MAC地址。MAC地址是物理地址，而且採用平坦的地址結構，因此不能根據MAC地址來劃分子網。而路由器識別IP地址，IP地址由網路管理員分配，是邏輯地址且IP地址具有層次結構，被劃分成網路號和主機號，可以非常方便地用於劃分子網，路由器的主要功能就是用於連接不同的網路。
5.保密問題：雖說交換機也可以根據幀的源MAC地址、目的MAC地址和其他幀中內容對幀實施過濾，但路由器根據報文的源IP地址、目的IP地址、TCP埠地址等內容對報文實施過濾，更加直觀方便。
四、第三層交換機和路由器的區別
在第三層交換技術出現之前，幾乎沒有必要將路由功能器件和路由器區別開來，他們完全是相同的：提供路由功能正在路由器的工作，然而，現在第三層交換機完全能夠執行傳統路由器的大多數功能。作為網路互連的設備，第三層交換機具有以下特徵：
1.轉發基於第三層地址的業務流；
2.完全交換功能；
3.可以完成特殊服務，如報文過濾或認證；
4.執行或不執行路由處理。
Ⅳ 我的老機器怎麼升級能玩劍3
內存加 顯卡 換N9600GT 或者9600以上 其餘的不懂 下面的繼續·
Ⅳ 誰遇到過鄂坡破機這樣斷成兩節的！居然從最大的位置斷了！好郁悶！
一看你這大軸就是簡單加工的，鄂破機應該用鍛打調質的大軸，這樣加工出來的才能滿足各種機械要氣。你還是去山東北橋機械看看吧，他們做的不錯