晶元製造流程關鍵設備

Ⅰ 生產晶元需要哪些設備

1.光刻機
設備功能：在半導體基材上（矽片）表面勻膠，將掩模版上的圖形轉移光刻膠上，把器件或電路結構臨時「復制」到矽片上。
2、ICP等離子體刻蝕系統
設備功能：一種或多種氣體原子或分子混合於反應腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，一方面等離子體中的活性基團與待刻蝕表面材料發生化學反應，生成可揮發產物；另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導和加速，實現對待刻蝕表面進行定向的腐蝕和加速腐蝕。
3、反應離子刻蝕系統
設備功能：平板電極間施加高頻電壓，產生數百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實現化學反應刻蝕和物理撞擊，實現半導體的加工成型。
4、離子注入機
設備功能：對半導體表面附近區域進行摻雜。
5、單晶爐
設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為後續半導體器件製造，提供單晶體的半導體晶坯
6、晶圓劃片機

該晶元生產設備功能：把晶圓，切割成小片的Die。
7、晶片減薄機

設備功能：通過拋磨，把晶片厚度減薄。

 
8、氣相外延爐

氣相外延爐設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現功能化做基礎准備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。
9、分子束外延系統

此晶元生產設備功能：分子束外延系統，提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。
10、氧化爐（VDF）

設備功能：提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，為半導體材料進行氧化處理，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。
11、低壓化學氣相淀積系統

設備名稱：低壓化學氣相淀積系統

 

設備功能：把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCVD設備的反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜。
12、等離子體增強化學氣相淀積系統

設備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離後在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。
13、磁控濺射台

晶元生產設備功能：通過二極濺射中一個平行於靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
14、化學機械拋光機
設備功能：通過機械研磨和化學液體溶解「腐蝕」的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光。
15、引線鍵合機

設備功能：把半導體晶元上的Pad與管腳上的Pad，用導電金屬線（金絲）鏈接起來。
16、探針測試台

改晶元生產設備功能：通過探針與半導體器件的pad接觸，進行電學測試，檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。

Ⅱ 晶元(IC)製造的工藝流程是什麼

受教了。

Ⅲ 晶元製造關鍵設備再突破，我們離擁有自己的晶元還有多遠

其實世界上的科學技術是能夠有一個越來越好的發展的，而且也能夠有一個越來越好的運用。而很多國家都能夠發展科技，並且能夠讓科技被運用到越來越廣泛的領域，很多時候國家都能夠去研究，而且也能夠加大投入。

相信大家都知道，晶元就是一個十分重要的科技產品，這如果沒有晶元的話，很可能會導致一直產品不能夠有一個比較好的質量，而且也可能不能夠有一個比較好的運行，很多時候晶元都是至關重要的，而且也會掌握一個科技命脈。晶元製造關鍵設備再突破，我們離擁有自己的晶元還有多遠？我覺得不遠了。之所以這么覺得，有三個原因:

一、我們國家有更加強大的科技實力。

其實我覺得我們離擁有自己的晶元是很不遠了的，因為我覺得我們國家是能夠擁有更加強大的科技實力的，既然我們能夠擁有強大的科技實力，我們就能夠更好的去發明創造那些晶元，並且能夠讓我們擁有晶元。

以上就是我的看法，大家有什麼想法呢？歡迎在評論區留言。

Ⅳ 晶元製造過程中，關鍵環節是光刻蝕嗎

對的，這個也是設計成型和生產成本的大頭吧！

望採納

Ⅳ 半導體晶元製造有哪些工藝流程，會用到那些設備，這些設備的生產商有哪些

主要是對硅晶抄片（Si wafer）的一系列處理

1、清洗 -> 2、在晶片上鋪一層所需要的半導體 -> 3、加上掩膜 -> 4、把不要的部分腐蝕掉 -> 5、清洗

重復2到5就可以得到所需要的晶元了

Cleaning -> Deposition -> Mask Deposition -> Etching -> Cleaning

1、中的清洗過程中會用到硝酸，氫氟酸等酸，用於清洗有機物和無機物的污染

其中Deposition過程可能會用到多種器材，比如HELIOS等~

Mask Deposition過程中需要很多器材，包括Spinner，Hot plate，EVG等等~

根據材料不同或者需要的工藝精度不同，Etching也分很多器材，可以使用專門的液體做Wet etch，或者用離子做Plasma Etching等

最後一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆蓋的掩模~

多數器材都是Oxford Instruments出的

具體建議你去多看看相關的英文書，這里說不清楚。。

Ⅵ led晶元製造流程中使用的設備

上游所需設備：MOCVD
ICP刻蝕機，光刻機，PECVD
中游所需設備：ICP刻蝕機，光刻機，蒸發台，濺射台，激光劃片機
下游所需設備：固晶機，焊線機等。

Ⅶ 光刻機是晶元製造的關鍵，現在中國有哪些企業在研究光刻機

國內光刻機技術比較先進，已經量產的應該是上海微電子裝備有限責任公司（簡稱SMEE)，已經實現90nm的量產，目前正在研究65nm的工藝。

其他的包括 合肥芯碩半導體有限公司、先騰光電科技有限公司、無錫影速半導體科技有限公司等一些企業，在光刻機上衣和有自己的成果。

但這些光刻機企業，目前還是在原來的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未來也能達到很高的水平。但對於光刻機行業來說，他們的追趕速度雖然很快，但技術進步的速度也是很快。所以，他們只能持續在低端方面，佔有一定的市場份額。

也就是中國科學院光電技術研究所的這個成果，直接將中國光刻機技術向前推進好幾代。當然，這個科研成果，距離完整實現量產，還有好幾個關卡要過。

首先是光刻分辨力達到22納米只是一次極限測試，屬於單次曝光，還製造不了晶元。其次是，能夠實驗室製造晶元，還要實現量產，這又是一個關卡。但總的來說，已經有了「光刻分辨力達到22納米」，那麼距離成型機，已經沒有那麼遙遠了。

Ⅷ 請問集成電路晶元生產的關鍵設備是什麼

光刻機!晶元，本質上是一種大規模集成電路，而光刻機和蝕刻機都是在生產現代大規模集成電路過程中必不可少的設備，兩種設備各司其職、不可互相替代。