集成電路製造設備介紹

⑴ 晶元概念股，集成電路製造設備的股票，哪個更值得投資

整個產業鏈中國底子太差，比如光刻機的生產，現在最高端被荷蘭壟斷，專別人百年技屬術的沉澱，歐美其他國家半導體產業這么完備了都難望其項背，更不要說才起步的中國，然後其他的晶圓，封裝測試等等都還需要時間去沉澱。
這個需要幾十年時間
現在中國跟的上的也許只有ic設計一個環節
另外客觀的就半導體板塊股票的技術面分析而言

已經是均線空頭排列股價處於均線之下的明確下跌趨勢，現在投資這種股票，面臨的不是盤整就是下跌。
基本面和政策扶持不是股票上漲的根本因素，雄安千年大計，說政策哪一個比不上晶元半導體？但你買了結果是什麼？

⑵ 簡述近幾年來集成電路製造工藝有哪些新的技術與進展

單片集成電路工藝
利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發等一整套平面工藝技術，在一小塊硅單晶片上同時製造晶體管、二極體、電阻和電容等元件，並且採用一定的隔離技術使各元件在電性能上互相隔離。然後在矽片表面蒸發鋁層並用光刻技術刻蝕成互連圖形，使元件按需要互連成完整電路，製成半導體單片集成電路。隨著單片集成電路從小、中規模發展到大規模、超大規模集成電路，平面工藝技術也隨之得到發展。例如，擴散摻雜改用離子注入摻雜工藝；紫外光常規光刻發展到一整套微細加工技術，如採用電子束曝光製版、等離子刻蝕、反應離子銑等；外延生長又採用超高真空分子束外延技術；採用化學汽相淀積工藝製造多晶硅、二氧化硅和表面鈍化薄膜；互連細線除採用鋁或金以外，還採用了化學汽相淀積重摻雜多晶硅薄膜和貴金屬硅化物薄膜，以及多層互連結構等工藝。

薄膜集成電路工藝
整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發工藝、濺射工藝和電鍍等工藝重疊構成。用這種工藝製成的集成電路稱薄膜集成電路。
薄膜集成電路中的晶體管採用薄膜工藝製作, 它的材料結構有兩種形式：①薄膜場效應硫化鎘和硒化鎘晶體管，還可採用碲、銦、砷、氧化鎳等材料製作晶體管；②薄膜熱電子放大器。薄膜晶體管的可靠性差，無法與硅平面工藝製作的晶體管相比，因而完全由薄膜構成的電路尚無普遍的實用價值。
實際應用的薄膜集成電路均採用混合工藝，也就是用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉或拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的互連線，再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不便用薄膜工藝製作的功率電阻、大電容值的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式組裝成一塊完整電路。

厚膜集成電路工藝
用絲網印刷工藝將電阻、介質和導體塗料淀積在氧化鋁、氧化鈹陶瓷或碳化硅襯底上。淀積過程是使用一細目絲網，製作各種膜的圖案。這種圖案用照相方法製成，凡是不淀積塗料的地方，均用乳膠阻住網孔。氧化鋁基片經過清洗後印刷導電塗料，製成內連接線、電阻終端焊接區、晶元粘附區、電容器的底電極和導體膜。製件經乾燥後，在750～950℃間的溫度焙燒成形，揮發掉膠合劑，燒結導體材料，隨後用印刷和燒成工藝制出電阻、電容、跨接、絕緣體和色封層。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔點凸點倒裝焊或梁式引線等工藝製作，然後裝在燒好的基片上，焊上引線便製成厚膜電路。厚膜電路的膜層厚度一般為 7～40微米。用厚膜工藝制備多層布線的工藝比較方便，多層工藝相容性好，可以大大提高二次集成的組裝密度。此外，等離子噴塗、火焰噴塗、印貼工藝等都是新的厚膜工藝技術。與薄膜集成電路相仿，厚膜集成電路由於厚膜晶體管尚不能實用，實際上也是採用混合工藝。

單片集成電路和薄膜與厚膜集成電路這三種工藝方式各有特點，可以互相補充。通用電路和標准電路的數量大，可採用單片集成電路。需要量少的或是非標准電路，一般選用混合工藝方式，也就是採用標准化的單片集成電路，加上有源和無源元件的混合集成電路。厚膜、薄膜集成電路在某些應用中是互相交叉的。厚膜工藝所用工藝設備比較簡易，電路設計靈活，生產周期短，散熱良好，所以在高壓、大功率和無源元件公差要求不太苛刻的電路中使用較為廣泛。另外，由於厚膜電路在工藝製造上容易實現多層布線，在超出單片集成電路能力所及的較復雜的應用方面，可將大規模集成電路晶元組裝成超大規模集成電路，也可將單功能或多功能單片集成電路晶元組裝成多功能的部件甚至小的整機。

單片集成電路除向更高集成度發展外，也正在向著大功率、線性、高頻電路和模擬電路方面發展。不過,在微波集成電路、較大功率集成電路方面，薄膜、厚膜混合集成電路還具有優越性。在具體的選用上，往往將各類單片集成電路和厚膜、薄膜集成工藝結合在一起，特別如精密電阻網路和阻容網路基片粘貼於由厚膜電阻和導帶組裝成的基片上，裝成一個復雜的完整的電路。必要時甚至可配接上個別超小型元件，組成部件或整機。

⑶ 集成電路生產設備

離子注入機，光刻機，CMP機，等，整個生產線可能幾百萬到幾億不等，小尺寸工藝的更貴。

⑷ 集成電路生產設備

你可以在網路查下這些關鍵詞

晶圓\封裝測試\綁定 等關鍵詞做個了解

太多了,說不來

⑸ 集成電路封裝生產線包括哪些設備

最主要的設備有三種：die bonder， wire bonder， 模塑機。其他切筋，列印，分選測試設備也都是必須的。

⑹ 集成電路產業的介紹

集成電路產業是半導體產業的一種，包括製造業，設計業，封裝業各產業，是與人們息息相關的產業。

⑺ 請問集成電路晶元生產的關鍵設備是什麼

光刻機!晶元，本質上是一種大規模集成電路，而光刻機和蝕刻機都是在生產現代大規模集成電路過程中必不可少的設備，兩種設備各司其職、不可互相替代。

⑻ 關於集成電路有哪些介紹

現在人們公認，世界上最早的集成電路，是1958年美國物理學家基爾比和諾伊斯兩人各內自獨立研究發明的。他容們兩人同時被推崇為微電子學的創始人。

早在第二次世界大戰期間，就有人把油墨狀的電阻材料與鍍銀金屬片設法印在陶瓷基片上，做成電阻和連接線的組合體。印刷電路工藝的發展及晶體管的發明，為集成電路的發明做了必要的技術准備。

20世紀50年代以來，宇航工業、通信產業和計算機產業的迅速發展，迫切需要各種性能穩定、能實現更加復雜功能的半導體器件，而且還希望這種器件越小巧越好。1957年，前蘇聯第一顆人造地球衛星的發射，促使美國軍方加快了實現電子器件微型化的步伐。

通信工程師們設想把一些晶體管及元件以新的形式組合成一種更復雜的線路，而不是簡單地拼湊在一起，這種線路稱為集成電路。從外形看來，它們就是小小的矽片，因此人們也稱它們為晶元。至今，在各種通信設備、計算機及各種電器設備中，處處都可以見到這種晶元。

⑼ 集成電路製造過程

集成電路或稱微電路、微晶元晶片/晶元（在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，並重復使用：

1. 光刻

2. 刻蝕

3. 薄膜(化學氣相沉積或物理氣相沉積）

4. 摻雜（熱擴散或離子注入）

5. 化學機械平坦化CMP

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然後使用光刻、摻雜、CMP等技術製成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術製成導線，如此便完成晶元製作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化製成、金屬化製成。

IC由很多重疊的層組成，每層由影像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪裡不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪裡額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。

1. 在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。

2. 電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數，決定電阻。

3. 電容結構，由於尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。

4. 更為少見的電感結構，可以製作晶元載電感或由迴旋器模擬。

因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多，也是現在主流的組件。透過電路的設計，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。

隨機存取存儲器是最常見類型的集成電路，所以密度最高的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來晶元寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的製作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層，因為他們太大了。高頻光子（通常是紫外線）被用來創造每層的圖案。因為每個特徵都非常小，對於一個正在調試製造過程的過程工程師來說，電子顯微鏡是必要工具。

在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（「die」）。每個好的die被焊在「pads」上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之後，設備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本產品的製造成本的25％，但是對於低產出，大型和/或高成本的設備，可以忽略不計。